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PMDPB95XNE2X

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PMDPB95XNE2X
    PMDPB95XNE2X

    PMDPB95XNE2X

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • PMDPB95XNE2X
    PMDPB95XNE2X

    PMDPB95XNE2X

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1118

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PMDPB95XNE2X
    PMDPB95XNE2X

    PMDPB95XNE2X

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • PMDPB95XNE2X
    PMDPB95XNE2X

    PMDPB95XNE2X

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8435

  • NXP/恩智浦

  • NA

  • 22+

  • -

  • 可訂貨，請(qǐng)確認(rèn)

  • PMDPB95XNE2X
    PMDPB95XNE2X

    PMDPB95XNE2X

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20

  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT1118

  • 19+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
PMDPB95XNE2X PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 2.7A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 99 毫歐 @ 2.8A，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 4.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 258pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 510mW（Ta）
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-UDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 6-HUSON（2x2）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PMDPB95XNE2X 技術(shù)參數(shù)
  • PMDPB95XNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:143pF @ 15V 功率 - 最大值:475mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB85UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:103 毫歐 @ 1.3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:514pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70XPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 15V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK PMDR-BRN PMDR-C PMDR-D
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