參數(shù)資料
型號： SIF912EDZ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits
中文描述： ESD保護(hù)雙向P溝道MOSFET，用于電池保護(hù)電路
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： SIF912EDZ
SiF912EDZ
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72952
S-50131—Rev. B, 24-Jan-05
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
1
2
3
4
5
I
D
= 7.4 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
0
0.001
10
50
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
30
40
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 61 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
1000
1
0.01
20
Safe Operating Area
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
*r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
I
D
= 5 A
10
100
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
minimum V
GS
at which r
DS(on)
is
specified
*V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIF912EDZ-T1-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SII0680A PCI to IDE/ATA
SiI0680ACL144 PCI to IDE/ATA
SiI0680ACLU144 PCI to IDE/ATA
SII0680 SteelVine⑩ Host Controller
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SIF912EDZ-T1-E3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
SIF912EDZ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIFS-1 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:80610596555 SIFS-1 FIRRING STRIP STAK-IT
SIFU310 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
SIFX1300ADJ-E2 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:10AMP HIGH EFFICIENCY DC-DC POWER MODULE - Bulk
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*