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參數(shù)資料
| 型號： | SIF912EDZ-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | SIF912EDZ-T1-E3 |
SiF912EDZ
Vishay Siliconix
Document Number: 72952
S-50131—Rev. B, 24-Jan-05
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 5 thru 3 V
25 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.4 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
55 C
2.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
V
GS
= 3 V
2 V
V
GS
= 4 V
r
D
(
1.2
1.5
1
10
50
0
0.3
0.6
0.9
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
T
J
= 25 C
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SII0680A | PCI to IDE/ATA |
| SiI0680ACL144 | PCI to IDE/ATA |
| SiI0680ACLU144 | PCI to IDE/ATA |
| SII0680 | SteelVine⑩ Host Controller |
| SII1000 | PanelLink Receivers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIF912EDZ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIFS-1 | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:80610596555 SIFS-1 FIRRING STRIP STAK-IT |
| SIFU310 | 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET |
| SIFX1300ADJ-E2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:10AMP HIGH EFFICIENCY DC-DC POWER MODULE - Bulk |
| SIG01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GENERAL-USE RECTIFIER DIODE |
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