參數(shù)資料
型號： SI9936BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： SPICE Device Model Si9936BDY
中文描述： 器件的SPICE模型Si9936BDY
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 179K
代理商： SI9936BDY
SPICE Device Model Si9936BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72573
02-Jun-04
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關PDF資料
PDF描述
SI9936DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9936DY D2VW STD Lever (Ext)
SI9939DY Complimentary 30-V (D-S) MOSFET
SI9942DY Complimentary 20-V (D-S) MOSFET
SI9948AEY Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI9936BDY_07 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9936BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOIC N
SI9936BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 0.035Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9936BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9936D4 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
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