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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI9934DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 5 A, 20 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | SI9934DY |
Si9934BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72525
S-41578—Rev. C, 23-Aug-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
400
800
1200
1600
2000
0
2
4
6
8
10
12
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
4
8
12
16
20
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 6.4 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
I
D
= 6.4 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
T
J
= 25 C
C
rss
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.8 A
r
D
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9936BDY | SPICE Device Model Si9936BDY |
| SI9936DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI9936DY | D2VW STD Lever (Ext) |
| SI9939DY | Complimentary 30-V (D-S) MOSFET |
| SI9942DY | Complimentary 20-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI9934DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| SI9934DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI9936BDY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| SI9936BDY_07 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI9936BDY-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOIC N |
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