參數(shù)資料
型號： Si9433BDY-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI9433BDY-E3
Si9433DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2
Document Number: 70125
S-00652—Rev. J, 27-Mar-00
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
a
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
–0.8
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
–1
A
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 70 C
–5
On-State Drain Current
b
I
D(on)
V
DS
–5 V, V
GS
= –4.5 V
–20
A
V
DS
–5 V, V
GS
= –2.7 V
–5
Drain-Source On-State Resistance
b
r
DS(on)
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.1 A
0.032
0.045
V
GS
= –2.7 V, I
D
= –2.0 A
0.052
0.070
Forward Transconductance
b
g
fs
V
DS
= –9 V, I
D
= –5.1 A
15
S
Diode Forward Voltage
b
V
SD
I
S
= –2.6 A, V
GS
= 0 V
–0.76
–1.2
V
Dynamic
a
Total Gate Charge
Q
g
V
DS
= –6 V V
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.1 A
4 5 V I
5 1 A
20
60
Gate-Source Charge
Q
gs
4
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
7
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
= –6 ,
= 6
1 A V
–1 A, V
GEN
= –4.5 V, R
G
= 6
6
34
60
Rise Time
t
r
I
D
4 5 V R
70
100
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
76
180
ns
Fall Time
t
f
61
100
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= –2.6, di/dt = 100 A/ s
60
80
Notes
a.
b.
For design aid only; not subject to production testing.
Pulse test; pulse width
300 s, duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si9433BDY-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI9435BDY-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435BDY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435 GP RELAY
SI9435DY P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI9433BDYT1E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI9433BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9433BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9433DY 功能描述:MOSFET 20V 5.4A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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