參數(shù)資料
型號(hào)： SI9435BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 68K
代理商： SI9435BDY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
Si9435BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72245
S-32274—Rev. B, 03-Nov-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.042 @ V
GS
=
10 V
5.7
30
0.055 @ V
GS
=
6 V
5.0
0.070 @ V
GS
=
4.5 V
4.4
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si9435BDY
Si9435BDY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
5.7
4.1
T
A
= 70 C
4.6
3.2
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.3
1.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.3
W
T
A
= 70 C
1.6
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
40
50
Steady State
70
95
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
24
30
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9435 GP RELAY
SI9435DY P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI9706DY PC Card (PCMCIA) Interface Switch
Si9706DY-T1 PC Card (PCMCIA) Interface Switch
Si9706DY-T1-E3 PC Card (PCMCIA) Interface Switch
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參數(shù)描述
SI9435BDY_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435BDY_13 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9435BDY-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N
SI9435BDY-T1 功能描述:MOSFET 30V 5.7A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9435BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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