參數(shù)資料
型號： SI9424BDY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 44K
代理商： SI9424BDY
Si9424BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72015
S-21785
—
Rev. A, 07-Oct-02
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
- 3
10
- 2
1
10
10
- 1
10
- 4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9424 Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9424DY Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9428DY N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9428DY-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9430DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI9424BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 0.025Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9424BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9424DY 功能描述:MOSFET Single P-Ch 20V/10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9424DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC N T/R
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