參數(shù)資料
型號(hào)： SI7991DP-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： SI7991DP-T1
Si7991DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72515
S-32127—Rev. B, 27-Oct-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.02
0.05
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI8251 DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8251-IM DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8251-IQ DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8252 DIGITAL POWER CONTROLLER
SI8252-IM DIGITAL POWER CONTROLLER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7994DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7994DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 60A 46W 5.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7997DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI7997DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7998DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*