參數(shù)資料
型號(hào)： SI7991DP-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 71K
代理商： SI7991DP-T1
Si7991DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72515
S-32127—Rev. B, 27-Oct-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
6
12
18
24
30
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
6
12
18
24
30
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 10 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 10 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
T
J
= 150 C
V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A
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