參數(shù)資料
型號(hào)： SI7991DP-T1
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： SI7991DP-T1
Si7991DP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72515
S-32127—Rev. B, 27-Oct-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
18
30
6
12
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
24
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 60 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
1000
1
0.01
0.001
10
100
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
I
DM
Limited
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SI7994DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7994DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 60A 46W 5.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7997DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI7997DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7998DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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