參數(shù)資料
型號(hào)： SI7902EDN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： ESD-protected bidirectional N-Ch. MOSFET for battery protection circuits
中文描述： ESD保護(hù)雙向P溝道MOSFET，用于電池保護(hù)電路
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： SI7902EDN
TrenchFET Power MOSFET
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
3000-V ESD Protection
Protection Switch for 1-2 Li-ion/LiP Batteries
Si7902EDN
Vishay Siliconix
Preliminary Information
Document Number: 71801
S-05696—Rev. A, 18-Feb-02
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, Common Drain
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 3.7 V
0.043 @ V
GS
= 2.5 V
8.3
30
8.0
6.7
D
G
1
S
1
D
G
2
S
2
N-Channel
N-Channel
1.8 k
1.8 k
1
2
3
4
5
6
7
8
S1
G1
S2
G2
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK 1212-8
Bottom View
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
8.3
5.6
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
6.0
4.0
Pulsed Drain Current
I
DM
40
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.7
1.3
T
A
= 25 C
3.2
1.5
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
1.7
0.79
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
30
38
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
65
82
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
1.9
2.4
Notes
a.
This data sheet contains preliminary specifications that are subject to change.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7909DN Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7911DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7911DN-T1 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7921DN Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si7921DN-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI7904BDN-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 20V 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI7904DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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