參數(shù)資料
型號： SI7860DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 42K
代理商： SI7860DP
Si7860ADP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72651
S-32674—Rev. A, 29-Dec-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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SI7860DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7860DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7860DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7862ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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