型號(hào): | SI7860DP |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
中文描述: | N溝道減少Q(mào)g和,快速開(kāi)關(guān)MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 4/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 42K |
代理商: | SI7860DP |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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SI7860DP-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7860DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7860DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7862ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |