參數(shù)資料
型號(hào)： SI7840DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： SI7840DP
SPICE Device Model Si7840BDP
Vishay Siliconix
Document Number: 73244
04-Dec-04
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7844DP Dual N-Ch MOSFET plus Schottky diode,
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參數(shù)描述
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SI7840DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 18A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7840DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI7842DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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