參數(shù)資料
型號(hào)： SI7491DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 223K
代理商： SI7491DP
SPICE Device Model Si7491DP
Vishay Siliconix
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Document Number: 72336
25-May-04
www.vishay.com
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si7501DN N- and p-channel VDS = 30 V pair
SI7601DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7664DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7705DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI7802DN N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7491DP-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7491DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7491DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7495DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7495DP-T1 功能描述:MOSFET 12V 21A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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