參數(shù)資料
型號(hào)： SI7491DP
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 223K
代理商： SI7491DP
SPICE Device Model Si7491DP
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
1.8
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
=
5 V, V
GS
=
10 V
620
A
V
GS
=
10 V, I
D
=
18 A
0.0072
0.0070
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
14 A
0.0102
0.0105
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
15 V, I
D
=
18 A
52
46
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
4.5 A, V
GS
= 0 V
0.84
0.74
V
Total Gate Charge
Q
g
48
56
Gate-Source Charge
Q
gs
12
12
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
15 V, V
GS
=
5 V, I
D
=
18 A
25
25
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
145
150
Rise Time
t
r
104
190
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
95
120
Fall Time
t
f
V
DD
=
15 V, R
L
= 15
I
D
1 A, V
GEN
=
10 V, R
G
= 6
107
90
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
www.vishay.com
2
Document Number: 72336
25-May-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si7501DN N- and p-channel VDS = 30 V pair
SI7601DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7664DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7705DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI7802DN N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7491DP-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7491DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7491DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7495DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7495DP-T1 功能描述:MOSFET 12V 21A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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