參數(shù)資料
型號： SI7458DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 51K
代理商： SI7458DP
Si7458DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71821
S-20012
—
Rev. A, 04-Mar-02
www.vishay.com
3
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0
1
2
3
4
5
–
r
D
)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
0
8
16
24
32
40
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 22 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 22 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
–
r
D
)
I
D
–
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 22 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7461DP P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7461DP-T1-E3 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7464DP N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7478DP N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7478DP-T1-E3 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7459DP-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:P-Ch PowerPAK SO-8 30V 6.8mohm@10V
SI7459DPT1E3 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free
SI7459DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7459DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7460DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
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