參數(shù)資料
型號(hào)： SI7450DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： SI7450DP
TrenchFET Power MOSFETS
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
PWM Optimized for Fast Switching
Primary Side Switch for High Density DC/DC
Telecom/Server 48-V DC/DC
Industrial and 42-V Automotive
Si7450DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71432
S-03475—Rev. B, 16-Apr-01
www.vishay.com
1
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.080 @ V
GS
= 10 V
0.090 @ V
GS
= 6 V
5.3
200
5.0
N-Channel MOSFET
G
D
S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
PowerPAK SO-8
Bottom View
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
5.3
3.2
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
4.3
2.6
Pulsed Drain Current
I
DM
40
A
Avalanche Current
I
AS
15
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
4.3
1.6
T
A
= 25 C
5.2
1.9
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
3.3
1.2
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
19
24
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
52
65
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
1.5
1.8
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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SI7450DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 5.3A 5.2W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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