參數(shù)資料
型號(hào)： SI7460DP
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長(zhǎng)）快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
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代理商： SI7460DP
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
New Low Thermal Resistance PowerPAK
Package with Low 1.07-mm Profile
APPLICATIONS
Automotive 12/24-V Battery
- ABS
- ECU
- Motor Drives
Si7460DP
Vishay Siliconix
Document Number: 72126
S-03416—Rev. A, 03-Mar-03
www.vishay.com
1
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
60
0.0096 @ V
GS
= 10 V
0.012 @ V
GS
= 4.5 V
18
16
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
PowerPAK SO-8
Bottom View
N-Channel MOSFET
G
D
S
Ordering Information:
Si7460DP-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
18
11
T
A
= 70 C
14
8
Pulsed Drain Current
I
DM
40
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
4.3
1.6
Avalanche Current
I
AS
50
Avalanche Energy
E
AS
125
mJ
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
5.4
1.9
W
T
A
= 70 C
3.4
1.2
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
18
23
Steady State
52
65
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
1.0
1.3
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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