參數資料
型號： SI6993DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁數： 4/5頁
文件大小： 68K
代理商： SI6993DQ
Si6993DQ
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72369
S-31912—Rev. A, 15-Sep-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
40
80
20
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
60
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 124 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
10
1
0.01
0.001
100
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
1 ms
-
I
D
0.1
Limited by r
DS(on)
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
dc
1 s
10 s
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