參數(shù)資料
型號： SI6968BEDQ-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
中文描述： 雙N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的共同排水，ESD保護
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI6968BEDQ-T1
Si6968BEDQ
Vishay Siliconix
Document Number: 72274
S-31362—Rev. A, 30-Jun-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
5
10
15
20
25
30
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 5 thru 3 V
25 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.5 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
2 V
-55 C
2.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
1.2
1.5
0.1
10
40
0
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6968ADQ N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
SI6973DQ Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6975DQ Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6991DQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6991DQT-1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6968BEDQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6968DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
SI6968DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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