參數(shù)資料
型號： SI6965DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
中文描述： P通道的2.5 V（GS）的電池開關
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI6965DQ
Si6965DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70798
S-56943—Rev. B, 02-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
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12
18
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0
0.6
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24
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8
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0.9
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2.7
3.6
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5
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15
20
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1.0
1.2
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–25
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50
75
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125
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0
4
8
12
16
20
V
GS
= 5 thru 3 V
25 C
T
C
= 125 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
2.5 V
2 V
–55 C
1.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
相關PDF資料
PDF描述
SI6966EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ-T1 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6965DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6966 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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SI6966DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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