參數(shù)資料
型號： SI6965DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
中文描述： P通道的2.5 V（GS）的電池開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 53K
代理商： SI6965DQ
Si6965DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-2
Document Number: 70798
S-56943—Rev. B, 02-Nov-98
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
–0.6
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
12 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
–1
A
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 55 C
–5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
–5 V, V
GS
= –4.5 V
–30
A
Drain Source On State Resistance
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.0 A
0.028
0.035
V
GS
= –2.5 V, I
D
=
–3.9 A
0.043
0.060
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= –10 V, I
D
= –5.0 A
15
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= –1.5 A, V
GS
= 0 V
–0.72
–1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
V
DS
= –10 V V
V
GS
= –10 V, I
D
= –5.0 A
10 V I
5 0 A
17.5
30
Gate-Source Charge
Q
gs
4.6
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
3.4
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
= –10 V, R
= 10
1 A V
–1 A, V
GEN
= –4.5 V, R
G
= 6
10 V R
25
50
Rise Time
t
r
I
D
4 5 V R
30
60
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
110
200
ns
Fall Time
t
f
65
120
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= –1.5 A, di/dt = 100 A/ s
30
60
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
Guaranteed by design, not subject to production testing.
300 s, duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6966EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ-T1 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6965DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI6966DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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