參數(shù)資料
型號： SI6965DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
中文描述： P通道的2.5 V（GS）的電池開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI6965DQ
Si6965DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70798
S-56943—Rev. B, 02-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–20
0.035 @ V
GS
= –4.5 V
0.060 @ V
GS
= –2.5 V
5.0
3.9
Si6965DQ
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
5.0
A
T
A
= 70 C
4.0
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
30
–1.5
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.5
W
0.96
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
83
C/W
Steady State
85
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6966EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ-T1 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6965DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6965DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6966 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ 功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6966DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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