參數(shù)資料
型號(hào)： SI6925DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 51K
代理商： SI6925DQ
Si6925DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70631
S-49455—Rev. A, 17-Dec-96
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
3.4
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
3.1
0.08 @ V
GS
= 2.5 V
2.7
Si6925DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
G
2
S
2
N-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.4
A
T
A
= 70 C
2.7
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1
W
T
A
= 70 C
0.64
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
125
C/W
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6925ADQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6926ADQ Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET
SI6926ADQ-T1-E3 Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET
SI6926DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6943BDQ Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6925DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6926ADQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET
SI6926ADQ_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6926ADQ_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6926ADQ-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 4.1A 8TSSOP - Tape and Reel
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