參數(shù)資料
型號(hào)： SI6913DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： SI6913DQ
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS
Load Switch
Battery Switch
Si6913DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72368
S-31914—Rev. A, 15-Sep-03
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.021 @ V
GS
= -4.5 V
-5.8
-12
0.028 @ V
GS
= -2.5 V
-5.0
0.037 @ V
GS
= -1.8 V
-4.4
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information: Si6913DQ-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-5.8
-4.9
T
A
= 70 C
-4.6
-3.9
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.0
-0.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.14
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
86
110
Steady State
124
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
52
65
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si6913DQ-T1 Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6924EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
Si6924AEDQ-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6924AEDQ N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6925DQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI6923 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode
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