參數資料
型號： SI6911DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數： 4/5頁
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代理商： SI6911DQ
Si6911DQ
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72231
S-31064—Rev. A, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
80
160
40
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
120
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 300 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 124 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
10
1
0.01
0.001
200
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
-
I
D
0.1
Limited
by r
DS(on)
10 s
dc
1 s
1 ms
10 ms
100 ms
T
= 25 C
Single Pulse
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PDF描述
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