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參數(shù)資料
| 型號： | Si6901DQ |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Bi-Directional P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙向P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SI6901DQ |
SPICE Device Model Si6901DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 72915
23-May-04
SPECIFICATIONS (T
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
0.66
V
On-State Drain Current
b
I
D(on)
V
DS
=
5 V, V
GS
=
4.5 V
133
A
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
5.4 A
0.027
0.026
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
4.8 A
0.034
0.034
Drain-Source On-State Resistance
b
r
DS(on)
V
GS
=
1.8 V, I
D
=
3.5 A
0.045
0.046
Forward Transconductance
b
Dynamic
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
5.4 A
21
30
S
Total Gate Charge
Q
g
64
80
Gate-Source Charge
Q
gs
10.5
10.5
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
6 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
5.4 A
34
34
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
91
110
Rise Time
t
r
230
310
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
354
210
Fall Time
t
f
V
DD
=
6 V, R
L
= 6
I
D
1 A, V
GEN
=
4.5 V, R
G
= 6
46
270
ns
Notes
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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