參數(shù)資料
型號： SI6876EDQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 49K
代理商： SI6876EDQ
Si6876EDQ
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71822
S-20802—Rev. B, 01-Jul-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Single Pulse Power
Time (sec)
P
0.01
0
0.1
80
100
20
40
1
10
30
60
相關PDF資料
PDF描述
SI6880AEDQ Specification Comparison
SI6880EDQ N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
Si6880EDQ Specification Comparison
Si6901DQ Bi-Directional P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6911DQ Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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SI6880EDQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Specification Comparison
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