參數(shù)資料
型號(hào)： SI6434DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： SI6434DQ
Si6434DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70178
S-49534—Rev. D, 06-Oct-97
www.Vishay Siliconix.com FaxBack
408-970-5600
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.028 @ V
GS
= 10 V
5.6
0.042 @ V
GS
= 4.5 V
4.5
Si6434DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
D
G
S*
N-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
5.6
A
T
A
= 70 C
4.4
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
W
T
A
= 70 C
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
83
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6435ADQ P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6436DQ N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
SI6441DQ P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si6441DQ-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6443DQ P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6434DQT1 制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI6434DQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 5.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6434DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 5.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6435 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI6435ADQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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