參數(shù)資料
型號(hào)： SI6436DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）額定MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SI6436DQ
Si6436DQ
Siliconix
S-49534—Rev. E, 06-Oct-97
7
N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
Product Summary
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.045 @ V
GS
= 10 V
0.070 @ V
GS
= 4.5 V
4.4
3.5
Si6436DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
D
G
S*
N-Channel MOSFET
*Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Absolute Maximum Ratings (
T
A
= 25 C Unless Otherwise Noted
)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current (T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.4
T
A
= 70 C
3.5
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
W
T
A
= 70 C
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
83
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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A SPICE Model data sheet is available for this product (FaxBack document #70535).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SI6441DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI6441DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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