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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI4966DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | SI4966DY |
Si4966DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70718
S-54939—Rev. A, 29-Sep-97
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.025 @ V
GS
= 4.5 V
7.1
0.035 @ V
GS
= 2.5 V
6.0
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
1
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
D
2
G
2
S
2
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
7.1
A
T
A
= 70 C
5.7
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
40
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2
W
T
A
= 70 C
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4971DY | Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET |
| Si4971DY-T1 | Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET |
| SI4980DY | Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| Si4980DY-T1 | Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| Si4992EY | Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4966DY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| SI4966DY-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4966DYT1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
| SI4966DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4966DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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