參數(shù)資料
型號(hào)： SI4965DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI4965DY
Si4965DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70826
S-31989—Rev. B, 13-Oct-03
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.021 @ V
GS
= -4.5 V
0.027 @ V
GS
= -2.5 V
0.040 @ V
GS
= -1.8 V
-8.0
-8
-7.0
-5.8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
D
2
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4965DY
Si4965DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-8
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
-8.0
T
A
= 70 C
-6.4
A
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
-30
-1.7
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
2.0
W
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
62.5
C/W
Steady State
93
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si4965DY-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4966DY Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4971DY Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
Si4971DY-T1 Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4980DY Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4965DY-E3 功能描述:MOSFET 8V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4965DY-T1 功能描述:MOSFET 8V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4965DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4965DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4966DY 功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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