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參數資料
| 型號： | Si4948BEY-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道60 - V（下副秘書長）175 MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | SI4948BEY-T1-E3 |
Si4948EY
Vishay Siliconix
Document Number: 70166
S-99444—Rev. E, 29-Nov-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–60
0.120 @ V
GS
= –10 V
3.1
0.150 @ V
GS
= –4.5 V
2.8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
3.1
A
T
A
= 70 C
2.6
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.0
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.4
W
T
A
= 70 C
1.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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PDF描述 |
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參數描述 |
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| SI4948EY | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4948EY-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4948EY-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4948EY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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