參數(shù)資料
型號(hào)： Si4944DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： SI4944DY-T1
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
100% R
g
Tested
APPLICATIONS
DC/DC Conversion
Load Switching
Si4944DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72512
S-32131—Rev. A, 27-Oct-03
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.016 @ V
GS
= 4.5 V
12.2
9.4
N-Channel MOSFET
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
G
2
S
2
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
Ordering Information:
Si4944DY
Si4944DY-T1 (with Tape and Reel)
S
1
G
1
S
2
G
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
12.2
9.3
T
A
= 85 C
8.8
6.7
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.9
1.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.3
1.3
W
T
A
= 85 C
1.2
0.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
42
55
Steady State
75
95
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
19
25
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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