參數(shù)資料
型號(hào)： Si4936ADY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： 圓形連接器
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series I; Body Material:Metal; Series:LJT; No. of Contacts:53; Connector Shell Size:23; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight RoHS Compliant: No
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 61K
代理商： SI4936ADY-T1
Si4936ADY
Vishay Siliconix
Document Number: 71132
S-31989—Rev. B, 13-Oct-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
200
400
600
800
1000
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
6
12
18
24
30
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.9 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
I
D
= 5.9 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4936ADY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI4936BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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