參數(shù)資料
型號(hào)： SI4925BDY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： SI4925BDY-T1-E3
Si4925BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72001
S-50366—Rev. C, 28-Feb-05
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
(
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
10
20
30
40
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.1 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
I
D
= 7.1 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
I
D
= 3 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4925BDY-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY Dual p-channel SO-8 low-rDS(on) MOSFET
SI4925 Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4925DDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 5.0W 29mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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