參數(shù)資料
型號(hào)： SI4913DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： SI4913DY
S-52287
Rev. B, 31-Oct-05
3
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si4913DY
www.vishay.com
Document Number: 70107
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
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PDF描述
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參數(shù)描述
SI4913DY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4913DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.4A 2.0W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4914BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4914BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 8.4/8.0A 2.1/3.1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4914BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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