參數(shù)資料
型號(hào)： SI4913DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 201K
代理商： SI4913DY
Vishay Siliconix
2
SPICE Device Model Si4913DY
www.vishay.com
Document Number: 70107
S-52287
Rev. B, 31-Oct-05
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
500
μ
A
0.75
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
=
5 V, V
GS
=
4.5 V
235
A
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
9.4 A
0.0124
0.0125
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
8.4 A
0.015
0.0155
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
1.8 V, I
D
=
5 A
0.019
0.020
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
9.4 A
42
40
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
1.7 A, V
GS
= 0 V
0.80
0.70
V
Total Gate Charge
Q
g
47
43
Gate-Source Charge
Q
gs
7.1
7.1
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
6 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
9.4 A
10.9
10.9
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
36
32
Rise Time
t
r
35
42
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
166
350
Fall Time
t
f
V
DD
=
6 V, R
L
= 6
I
D
1 A, V
GEN
=
4.5 V, R
G
= 6
43
160
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
=
1.7 A, di/dt = 100 A/
μ
s
135
127
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si4920DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4920DY Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
SI4921DY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si4921DY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4924DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4913DY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI4914BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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