參數(shù)資料
型號： SI4886DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI4886DY
Si4886DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71142
S-00206—Rev. A, 21-Feb-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.010 @ V
GS
= 10 V
0.0135 @ V
GS
= 4.5 V
13
11
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
D
G
S
D
D
S
S
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
13
9.5
A
T
A
= 70 C
10.5
7.6
Pulsed Drain Current
I
DM
50
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.60
1.40
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.95
1.56
W
T
A
= 70 C
1.90
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
t
10 sec
R
thJA
35
42
C/W
Steady State
68
80
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
18
23
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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SI4886DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 13A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4886DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 13A 2.95W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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