參數(shù)資料
型號： SI4884BDY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： SI4884BDY-T1
Si4884BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73454
S–51450—Rev. A, 01-Aug-05
www.vishay.com
5
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
150
Current De-Rating*
Power, Junction-to-Ambient
I
D
T
C
– Case Temperature ( C)
T
C
– Case Temperature ( C)
*The power dissipation P
is based on T
= 150 C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for
cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.
0.0
1.1
2.2
3.3
4.4
5.5
0
25
50
75
100
125
150
Power, Junction-to-Foot
T
C
– Case Temperature ( C)
P
P
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PDF描述
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參數(shù)描述
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