參數(shù)資料
型號： SI4882DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： SI4882DY
Si4882DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70878
S-00271—Rev. A, 26-Apr-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
–
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D
)
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20
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40
50
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 11 A
I
D
– Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 11 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4884BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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SI4890DY N-Channel Reduced Qg; Fast-Switching MOSFET
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參數(shù)描述
SI4882DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4882DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4882DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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