參數(shù)資料
型號(hào)： SI4866DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： SI4866DY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS
PWM Optimized for High Efficiency
Low Output Voltage
100% R
G
Tested
APPLICATIONS
Synchronous Rectifier
Point-of-Load Synchronous Buck Converter
Si4866DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71699
S-03662—Rev. B, 14-Apr-03
www.vishay.com
1
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
12
0.0055 @ V
GS
= 4.5 V
0.008 @ V
GS
= 2.5 V
17
14
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
17
11
T
A
= 70 C
14
8
A
Pulsed Drain Current
I
DM
50
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.7
1.40
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.0
1.6
W
T
A
= 70 C
2.0
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient (MOSFET)
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
t
10 sec
R
thJA
34
41
Steady State
67
80
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
15
19
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4872DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si4874DY N-Channel 30-V MOSFET
SI4874DY Single N-Channel, Logic Level, PowerTrencha MOSFET
SI4876DY-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4876DY N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4866DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 17A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4866DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4866DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4872DY 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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