型號(hào): | SI4848DY-T1 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N溝道150 -五(副)MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 44K |
代理商: | SI4848DY-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI4850EY | N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET |
SI4850EY-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
SI4850EY-T1 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
SI4850EY-T1-E3 | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
SI4860DY | N-Channel MOSFET, 30V(D-S) , Reduced Qg, Fast-Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4848DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4848DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4850EY | 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4850EY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
SI4850EY-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |