參數(shù)資料
型號(hào)： SI4501ADY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary (N- and P-Channel) MOSFET Half-Bridge
中文描述： 補(bǔ)充（N溝道和P溝道）MOSFET半橋
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： SI4501ADY
Si4501DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70934
S-61812—Rev. B, 19-Jul-99
www.vishay.com
2-1
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N Channel
N-Channel
30
0.018 @ V
GS
= 10 V
0.027 @ V
GS
= 4.5 V
0.042 @ V
GS
= -4.5 V
0.060 @ V
GS
= -2.5 V
9
7.4
P Channel
P-Channel
6.2
-8
5.2
S
1
D
G
1
D
S
2
D
G
2
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
2
G
2
G
1
S
1
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
30
-8
V
Gate-Source Voltage
20
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
I
D
9
6.2
7.4
5.0
A
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
30
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
1.7
-1.7
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
2.5
W
1.6
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
N-Channel
P- Channel
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
38
50
40
50
Steady-State
73
95
73
95
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady-State
R
thJC
17
22
20
26
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4503DY N- and P-Channel MOSFET
SI4539ADY-T1 N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4539ADY N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4539 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI4539DY Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4501ADY-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP
SI4501ADY-T1 功能描述:MOSFET 30/8V 8.8/5.7A 1.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4501ADY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30/8V 8.8/5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4501ADY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30/8.0V 8.8/5.7A 18/42mohm @ 10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4501BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
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