型號: | SI4470EY-T1 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N通道60 - V(下局副局長)MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SI4470EY-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI4480EY | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
SI4480EY-T1 | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
SI4486EY-T1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
SI4486EY | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
SI4493DY | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4470EY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4470EY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4472DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
SI4472DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4472DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |