參數(shù)資料
型號： SI4431DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 6300 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 42K
代理商： SI4431DY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
Si4431ADY
Vishay Siliconix
Document Number: 71803
S-95713—Rev. C, 18-Feb-02
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.030 @ V
GS
= -10 V
-7.2
0.052 @ V
GS
= -4.5 V
-5.5
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-7.2
-5.3
T
A
= 70 C
-5.8
-4.2
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-30
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-2.1
-1.3
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.35
W
T
A
= 70 C
1.6
0.87
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
35
50
Steady State
75
92
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
17
25
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
SI4433DY P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4434DY N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
Si4434DY-E3 N-Channel 250-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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