參數(shù)資料
型號(hào)： SI4429EDY
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： SI4429EDY
TrenchFET Power MOSFET
V
GS
Surge Protection to 18 V
ESD Protected: 4000 V
Battery Switch
Load Switch
Si4429EDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70709
S-04712—Rev. A, 24-Sep-01
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.0105 @ V
GS
= –10 V
–13.0
–30
0.0125 @ V
GS
= –4.5 V
–12.0
0.0195 @ V
GS
= –2.5 V
–9.0
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
S
G
5.5 k
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–30
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
–13.0
–9.4
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
–10.0
–7.5
Pulsed Drain Current
I
DM
–50
A
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.5
–1.3
T
A
= 25 C
3.0
1.5
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.9
0.9
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
32
42
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
68
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
15
18
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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