參數(shù)資料
型號： SI4426DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道20V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 65K
代理商： SI4426DY
Si4426DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71107
S-01041—Rev. B, 15-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.025 @ V
GS
= 4.5 V
0.035 @ V
GS
= 2.5 V
8.5
7.1
SO-8
S
D
S
D
S
D
G
D
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
8.5
6.5
A
T
A
= 70 C
6.8
5.2
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
40
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.1
2.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
1.5
W
T
A
= 70 C
1.6
0.9
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
38
50
C/W
Steady State
70
85
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
20
25
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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SI4427DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI4426DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 8.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4426DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.5A 2.5W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4427BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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